STAGE Pixel avec puit quantique de type p-MOS

Ce sujet s’insère dans les développements de détecteurs à matrice de pixels pour la physique des particules en particulier pour le futur ILC (International Linear Collider). Cette structure est une variante de la structure n-MOS déjà proposée il y a quelques années et étudié en simulation depuis [1]-[2]. Il sera demandé de faire des simulations et de faire une modélisation physique de la structure proposée. Le passage du mode semi-classique au mode de fonctionnement quantique devra être abordé. Éventuellement un travail avec une équipe collaboratrice axée sur la réalisation physique de la structure pourrait se faire durant ce stage. Les outils de simulation TCAD seront utilisés durant ce stage avec éventuellement la prise ne compte de résultats obtenus avec des codes de transport de particules chargées de haute énergie dans la matière



References:

[1] “The TRAMOS pixel as a photo-detection device: design, architecture and building blocks”, Nicolas T. Fourches et al. to be published in Nuclear Instruments and Methods A, Proceedings, NDIP (2017)

[2]” Ultimate Pixel Based on a Single Transistor With Deep Trapping Gate”, Nicolas T. Fourches, IEEE Trans. On Elec. Dev.”, Vol.64, Issue. 4, (2017)1619, http://doi.org/10.1109/TED.2017.2670681