STAGE Mesure et réduction des champs de fuite de capteurs magnétiques magnétorésistifs

Un capteur à magnétorésistance géante est composé schématiquement de deux couches magnétiques séparées par un espaceur (M1/E/M2). L’une des couches (M1) est libre de suivre le champ magnétique à détecter pendant que l’aimantation de l’autre couche (M2) est fixe. L’effet de magnétorésistance géante ou tunnel induit une variation de la résistance en fonction de l’angle entre les aimantations des 2 couches permettant ainsi une détection du champ par la variation de résistance.
Le but du stage est d’étudier et de réduire les champs de fuite émis par les aimantations des deux couches magnétiques. En effet ces champs de fuite peuvent créer des perturbations sur le système à étudier dans le cas de cartographie magnétique par exemple et aussi rendre les performances des GMR fortement dépendantes de leur taille.
Durant le stage plusieurs techniques seront utilisées afin de mesurer les champs de fuite des capteurs : mesures de magnétométrie, de magnétotransport et de cartographie magnétique. Les champs de fuite des capteurs pourront être réduits en travaillant sur la structure et l’empilement des couches magnétiques qui est dans la pratique plus complexe que celui présenté schématiquement (M1/E/M2). Les dépôts seront réalisés par pulvérisation cathodique, puis les structures seront fabriquées par lithographie UV afin de pouvoir les caractériser.